长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、军工院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体(宽禁带半导体)应用解决方案服务商。
长禾实验室秉承创新务实的经营理念,为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持;同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流,测试技术与服务水平不断提升。
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检测项目
覆盖产品
检测能力
参考标准
直流参数
MOSFET、IGBT、DIODE等模块产品;
检测大电压:7500V 检测大电流:6000A
国标,IEC
雪崩能量
MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半导体器件等单管器件
检测大电压:2500V 检测大电流:200A
美军标
栅极电阻
MOSFET、IGBT及第三代半导体器件
检测阻抗:0.1Ω~50Ω
JEDEC
开关时间
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件;
检测大电压:1200V 检测大电流:200A
美军标,国标,IEC等
开关时间
IGBT等模块产品
检测大电压:2700V 检测大电流:4000A
国标,IEC
反向恢复
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件
检测大电压:1200V 检测大电流:200A
美军标,国标,IEC等
反向恢复
IGBT等模块产品
检测大电压:2700V 检测大电流:4000A
国标,IEC
栅极电荷
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件
检测大电压:1200V 检测大电流:200A
美军标,国标,IEC等
栅极电荷
IGBT等模块产品
检测大电压:2700V 检测大电流:4000A
国标,IEC
短路耐量能力
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件
检测大电压:1200V 检测大电流:1000A
美军标,国标,IEC等
短路耐量能力
IGBT等模块产品
检测大电压:2700V 检测大电流:10000A
国标,IEC
结电容
MOSFET、IGBT及第三代半导体器件等单管器件
检测大电压:3000V
IEC
参数曲线扫描
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管器件的I-V、C-V曲线
检测大电压:3000V 检测大电流:1500A 温度:-70°C~180°C
美军标,IEC等
热阻性能
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管产品
大功率:250W
美军标,JEDEC
热阻性能
IGBT等模块产品
大功率:4000W
美军标,JEDEC
ESD能力
MOSFET、IGBT、IC等产品
HBM大电压:8000V;MM大电压:800V
美军标,ANSI,JEDEC等
*正向浪涌能力
DIODE(Si/SiC)、整流桥
检测大电流:800A
美军标,国标