西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区，是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是国家CNAS 认可实验室，属于国家大功率器件测试服务中心。

长禾实验室拥有尖端的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有先进的测试仪器设备100余台套，专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准，以客户需求为导向，不断创新服务项目和检测技术，借助便利的服务网络，为合作伙伴提供优质高效的技术服务。

长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、军工院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。

长禾实验室秉承创新务实的经营理念，为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持；同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流，测试技术与服务水平不断提升。

诚信立世，感恩回馈，欢迎选择长禾实验室做您忠诚的合作伙伴，共谋发展大计！

长禾实验室检测能力范围    

1    功率金属氧化物场效应管    1    漏源间反向击穿电压    半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1    只测： -3.5kV～3.5kV    

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407    只测： -3.5kV～3.5kV    

2    通态电阻    半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1    只测： 0～10kΩ,,0～1500A    

3    阈值电压    半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3404    只测： -10V～10V    

4    漏极反向电流    半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1    只测： -100mA～100mA    

5    栅极漏电流    半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1    只测： -100mA～101mA    

6    体二极管压降    半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4    只测： 0A～1500A    

7    跨导    半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2    只测： 1ms～1000s    

8    开关时间    半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3472.2    只测： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A    

9    半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3472    只测： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A    

10    体二极管反向恢复时间    半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1    只测： 10ns～2µs    

11    体二极管反向恢复电荷    半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1    只测： 1nC～100µC    

12    栅极电荷    半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3    只测： Qg：0.5nC～500nC    

13    单脉冲雪崩能量    半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2    只测： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A    

14    栅极串联等效电阻    功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002)    只测： 0.1Ω～50Ω    

15    稳态热阻    半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3161.1    只测： Ph：0.1W～250W    

16    半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3161    只测： Ph：0.1W～250W    

17    输入电容    半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.10    只测： -3kV～3kV,0～1MHz    

18    输出电容    半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.11    只测： -3kV～3kV,0～1MHz    

19    反向传输电容    半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.12    只测： -3kV～3kV,0～1MHz    

20    老炼试验    半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042    只测： 条件A、条件B， Vdsmax：3500V， Tjmax：200℃    

21    温度，反偏和操作寿命试验 JESD22-A108F:2017    只测： HTRB和HTGB试验    

22    间歇功率试验    半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042    只测： 条件D（间歇功率）    

23    稳态功率试验    半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042    只测： 条件C（稳态功率）