自动On-Line式（履带式）AP等离子处理系统CRF-APO-500W-C

型号（Model）

CRF-APO-500W-C

电源（Power supply）

220V/AC,50/60Hz

功率（Power）

2set*1000W/25KHz(Option)

处理宽幅（Processing width）

50mm-500mm（Option）

有效处理高度（Processing height）

5-15mm

处理速度（Processing speed）

0-5m/min

传动方式（Drive mode）

防静电绝缘传送带

喷头数量（Number）

2（Option）

工作气体（Gas）

Compressed Air（0.4mpa）

产品特点：配置专业运动控制平台，PLC+触摸屏控制方式，采用精准运动模组，操作简便；

配置专业集尘系统，保证产品品质和设备的整洁、干净；

可选配喷头数量，满足客户多元化需求；

应用范围：主要应用于电子行业的手机壳印刷、涂覆、点胶等前处理，手机屏幕的表面处理；工业的航空航天电连接器表面清洗；通用行业的丝网印刷、转移印刷前处理等。

晶圆片级封装等离子体处理在晶圆级封装中的先进应用日益增多，由于半导体器件制造商进一步缩小尺寸，提高封装器件的可靠性，等离子处理技术在更高层次的晶圆级封装中得到了越来越多的应用。诚峰智造晶圆片等离子清洗机可以处理多种尺寸的晶片，大容量，自动化处理。

片状清洗等离子清洗是一种很好的方法，用于消除晶圆级设备制造或上游组装过程中所产生的污染物。不管是哪种情况，清洁产品以去除氟，氧化物或是金属的污染，都会大大提高集成电路的产量，可靠性和性能。

脱渣为光刻胶残留量有时仍在发展、处理。等离子体处理在进一步处理之前，少量抗蚀剂在晶片的整个表面上被均匀地去除。晶圆片等离子清洗机等离子体处理可用于成批剥离，材料包括光致抗蚀剂，氧化物，氮化物蚀刻，电介质。蚀刻率均匀度大于97%，每分钟1微米可实现。剥离与蚀刻工艺可用于圆片级封装，MEMS制造及磁盘驱动器处理。

硅片前处理等离子处理去除污染物和氧化，提高粘接率和可靠性。此外，等离子还为微粗糙改善晶片钝化层之间的粘附。

在UBM中，BCB与UBM的粘附等离子体处理改变晶片的钝化层的形态和润湿作用。高分子材料，例如苯并环丁烯(BCB)和UBM，在晶片的介电层中重新分布。等离子体处理使硅片初始钝化层形态发生变化，润湿性增强。

介质图案形成再分配层的典型方法包括采用典型光刻方法对介质再分配材料进行图案化。晶圆片等离子清洗机等离子体清洗是介质图案化的可行替代方法，并可避免传统的湿法处理。

利用WLP小孔的清理，将晶片组成在堆叠芯片上，常会产生残余的产物，通过形成过程。通等离子体过优化结构，可以在不损伤晶片表面的情况下处理通孔。

压凹等离子清洗可改善压凹粘连，提高压凹剪切强度。通过改善晶片表面的凹凸粘连，等离子清洗机可以显著提高凹凸剪切强度，凸模材料包括焊料和金钉的不同成分。